參數(shù)資料
型號： 2N2906E
廠商： KEC Holdings
英文描述： 2.0A,100V,25NS,UF Avalanche,SMD
中文描述： 外延平面PNP晶體管（通用，開關）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2N2906E
2002. 9. 17
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N2906E
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 0
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: I
CEX
=-50nA(Max.), I
BL
=-50nA(Max.)
@V
CE
=-30V, V
EB
=-3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: V
CE(sat)
=-0.4V(Max.) @I
C
=-50mA, I
B
=-5mA.
Low Collector Output Capacitance
: C
ob
=4.5pF(Max.) @V
CB
=5V.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
+
+
+
+
A
A1
B1
C
TES6
1.6 0.05
1.0 0.05
1.6 0.05
1.2 0.05
0.50
+
+
+
0.2 0.05
0.5 0.05
0.12 0.05
B
D
H
J
B1
B
D
A
A
C
C
J
H
1
2
3
6
4
P
P
P
5
5
1. Q EMITTER
2. Q BASE
3. Q BASE
4. Q COLLECTOR
5. Q EMITTER
6. Q COLLECTOR
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Collector Current
I
C
-200
mA
Base Current
I
B
-50
mA
Collector Power Dissipation
P
C
200
mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55
150
* Total Rating
1
Q1
2
3
6
5
4
Q2
Type Name
Marking
Z A
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
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PDF描述
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