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參數(shù)資料
| 型號： | 2N2892 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-111, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | 2N2892 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5326 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3744 | 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3867SMD05-JQR-B | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
| 2N3867SMD05-JQRR4 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
| 2N3867SMD05-JQR-BR4 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N2893 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-111 - Bulk |
| 2N2894 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Fast Sw SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2894_03 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2N2894_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH-SPEED SATURATED SWITCHES |
| 2N2894-1 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:2N2894-1 |
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