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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N20906A |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅平面型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | 2N20906A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N20907A | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| 2N2110 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/2 |
| 2N2112 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/2 |
| 2N2114 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/2 |
| 2N2117 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 15A I(C) | STR-1/2 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N20907A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| 2N2094A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-5 |
| 2N2101 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N2102 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2102 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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