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參數(shù)資料
| 型號： | 2MBI75N-060 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | M232, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | 2MBI75N-060 |
0,001
0,01
0,1
1
0,1
1
IGBT
Diode
Transient thermal resistance
Thermal
resistance
:
R
th(j-c)
[°C/W]
Pulse width : PW [sec]
0
100
200
300
400
0
100
200
300
400
500
400V
300V
V
CC=200V
0
5
10
15
20
25
Dynamic input characteristics
T
j=25°C
Collector-Emitter
voltage
:
V
CE
[V]
Gate charge : Q
G [nC]
10
100
10
100
1000
t
f
t
r
t
off
t
on
Switching time vs. R
G
V
CC=300V, IC=75A, V GE=±15V, Tj=25°C
Switching
time
:
t
on
,
t
r,
t
off
,
t
f[nsec]
Gate resistance : R
G [ ]
0
1
2
3
4
0
25
50
75
100
125
150
175
T
j=125°C
25°C
Forward current vs. Forward voltage
V
GE=OV
Forward
current
:
I
F
[A]
Forward voltage : V
F [V]
0
25
50
75
100
125
10
100
I
rr 25°C
t
rr 25°C
t
rr 125°C
I
rr 125°C
Reverse recovery characteristics
t
rr , Irr vs. I F
Reverse
recovery
current
:
I
rr
[A]
Reverse
recovery
time
:
t
rr
[nsec]
Forward current : I
F [A]
0
100
200
300
400
500
600
0
100
200
300
400
500
600
700
RBSOA (Repetitive pulse)
SCSOA
(non-repetitive pulse)
Reversed biased safe operating area
+V
GE=15V, -V GE< 15V, T j< 125°C, RG> 33
Collector
current
:
I
C
[A]
Collector-Emitter voltage : V
CE [V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1016F | 7.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1016E | 7.5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1015 | 7.5 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1015F | 7.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N2741 | 20 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2MBI75N-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT(1200V 75A) |
| 2MBI75P-140 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module |
| 2MBI75P-140_04 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module |
| 2MBI75S | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( S-Series ) 2-Pack IGBT 1200V 2X75A |
| 2MBI75S-120 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE 1200V 75A |
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