參數(shù)資料
型號: 2MBI300U4N-170-50
廠商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 450 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-11
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 579K
代理商: 2MBI300U4N-170-50
2
2MBI300U4N-170-50
2
IGBT Modules
Characteristics (Representative)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C/ chip
Dynamic Gate charge (typ.)
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Vcc=900V, Ic=300A, Tj= 25°C
0
200
400
600
800
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
200
400
600
800
0
1
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3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
200
400
600
800
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
C
ol
le
ct
or
-E
m
itt
er
vo
lta
ge
:
V
C
E
[V
]
Ic=600A
Ic=300A
Ic=150A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
ap
ac
ita
nc
e
:
C
ie
s,
C
oe
s,
C
re
s
[n
F
]
Cies
Coes
Cres
0
200
400
600
800
1000
Gate charge : Qg [nC]
C
ol
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C
E
[2
00
V
/d
iv
]
G
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V
G
E
[5
V
/d
iv
]
VGE
VCE
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PDF描述
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