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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2MBI100NB-120 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | M235, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | 2MBI100NB-120 |
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
IGBT
Diode
Transient Thermal Resistance
Thermal
resistance
:
R
th(j-c)
[°C/W]
Pulse Width : PW [s]
0
400
800
1200
0
200
400
600
800
1000
800V
600V
V
CC=400V
0
5
10
15
20
25
Dynamic Input Characteristics
T
j=25°C
Collector-Emitter
Voltage
:
V
CE
[V]
Gate Charge : Q
G
[nC]
10
100
1000
t
f
t
r
t
OFF
t
ON
Switching Time vs. R
G
V
CC=600V, I C=100A, V GE=±15V, Tj=25°C
Switching
Time
:
t
ON
,t
r,
t
OFF
,t
f[ns]
Gate Resistance : R
G [ ]
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
T
j=125°C
25°C
Forward Current vs. Forward Voltage
V
GE=0V
Forward
Current
:
I
F
[A]
Forward Voltage : V
F [V]
0
50
100
150
200
10
100
I
rr
25°C
t
rr
25°C
t
rr
125°C
I
rr
125°C
Reverse Recovery Characteristics
t
rr, Irr vs. I F
Reverse
Recovery
Current
:
I
rr
[A]
Reverse
Recovery
Time
:
t
rr
[ns]
Forward Current : I
F [A]
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
RBSOA (Repetitive pulse)
SCSOA
(non-repetitive pulse)
Reversed Biased Safe Operating Area
+V
GE=15V, -V GE< 15V, T j< 125°C, R G> 9.1
Collector
Current
:
I
C
[A]
Collector-Emitter Voltage : V
CE [V]
Gate-Emitter
Voltage
:
V
GE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2MBI150L-060 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI150U2A-060 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI150UA-120 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI200NB-120 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI300N-120-01B | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2MBI100NC-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( N series ) |
| 2MBI100NE-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( N series ) |
| 2MBI100NT-120-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT module |
| 2MBI100P-140 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( P-Series ) |
| 2MBI100PC-140 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( P-Series ) |
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