參數(shù)資料
型號： 29LV017B-90
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 16M-BIT [2Mx8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
中文描述： 1,600位[2Mx8] CMOS單電壓3V時僅閃存
文件頁數(shù)： 22/55頁
文件大?。?/td> 355K
代理商： 29LV017B-90
22
P/N:PM1086
MX29LV017B
REV. 1.1, DEC. 07, 2004
29LV017B-70
MIN.
70
29LV017B-90
MIN.
90
Symbol PARAMETER
tRC
Read Cycle Time (Note 1)
tACC
Address to Output Delay
tCE
CE# to Output Delay
tOE
OE# to Output Delay
tDF
OE# High to Output Float (Note 2)
tOEH
Output Enable Read
Hold Time
tOH
Address to Output hold
MAX.
MAX.
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Conditions
70
70
30
25
90
90
35
30
CE#=OE#=VIL
OE#=VIL
CE#=VIL
CE#=VIL
0
0
10
0
0
0
10
0
Toggle and Data# Polling
CE#=OE#=VIL
Notes :
1. Not 100% tested.
2. tDF is defined as the time at which the output achieves
the open circuit condition and data is no longer driven.
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0V/3.0V.
Input rise and fall times is equal to or less than 5ns.
Output load: 1 TTL gate + 100pF (Including scope and
jig), for 29LV017B-90. 1 TTL gate + 30pF (Including
scope and jig) for 29LV017B-70
Reference levels for measuring timing: 1.5V.
AC CHARACTERISTICS
TA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
Table 9. READ OPERATIONS
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PDF描述
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29LV040C-90 4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
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