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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV002CT-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬(wàn)位[256K × 8] CMOS單電壓3V時(shí)僅閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 528K |
| 代理商： | 29LV002CT-90 |
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23
P/N:PM1204
MX29LV002C/002NC T/B
REV. 1.0, JUN. 30, 2005
NOTE:
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
AC CHARACTERISTICS
TA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
Table 12. Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
29LV002CT/B-70
29LV002CT/B-90
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
45
45
ns
tDS
Data Setup Time
35
45
ns
tDH
Data Hold Time
0
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write
0
0
ns
tWS
WE# Setup Time
0
0
ns
tWH
WE# Hold Time
0
0
ns
tCP
CE# Pulse Width
35
35
ns
tCPH
CE# Pulse Width High
30
30
ns
tWHWH1
Programming Operation(note2)
9(Typ.)
9(Typ.)
us
tWHWH2
Sector Erase Operation (note2)
0.7(Typ.)
0.7(Typ.)
sec
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