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參數(shù)資料
| 型號： | 29F200C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256Kx8/128Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 447K |
| 代理商： | 29F200C-90 |
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16
P/N:PM1250
REV. 1.0 , DEC. 14, 2005
MX29F200C T/B
TEMPORARY SECTOR UNPROTECT
Parameter Std. Description
Test Setup
AllSpeed Options Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
Note:
Not 100% tested
TEMPORARY SECTOR UNPROTECT TIMING DIAGRAM
RESET#
CE#
WE#
RY/BY#
tVIDR
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
12V
0 or 5V
0 or 5V
tRSP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F256 | 262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F4000 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F2875 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00E General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2876 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00H General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2877 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00J General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2879 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00M General Purpose Single Pole Switch |
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