參數(shù)資料
型號(hào)： 27 - 32 GHz Mixer
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 27 - 32 GHz GaAs Mixer MMIC(27 - 32 GHz砷化鎵微波混頻器)
中文描述： 27 - 32 GHz的砷化鎵單片混頻器（27 - 32千兆赫砷化鎵微波混頻器）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 113K
代理商： 27 - 32 GHZ MIXER
GaAs Components
27 - 32 GHz Mixer
Data Sheet
3
2001-01-01
Conversion Gain vs. LO Power
f
LO
= 29.5 GHz,
f
RF
= 29.7 GHz,
f
IF
= 0.2 GHz,
P
inRF
= –
6.8 dBm
Technology Data
Parameter
Value
Chip thickness
95
μ
m
3.25 mm
×
2.0 mm
100
μ
m
×
100
μ
m/85
μ
m
×
65
μ
m
Chip size
DC/RF Bond pads
Bond pad material
Au (plated gold)
Chip passivation
SiN (silicon nitride)
-15
-20.0
EHT09221
C
-17.5
-15.0
-12.5
-10.0
-7.5
-5.0
-2.5
0.0
dB
-10
LO Input Power
-5
0
5
15
dBm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
27 - 33 GHz Tripler 27 - 33 GHz GaAs Tripler MMIC(28 - 33 GHz砷化鎵微波三倍頻器)
27.1B.241.A005G 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
270.1 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
270.5 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
270.7 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
273-2K/AP 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 2Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
273-2K/AP-RC 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 2Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
273-2K/REEL 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 2Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
273-2K/REEL-RC 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 2Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
273-2K-RC 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 2Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
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