參數(shù)資料
型號： 27 - 31 GHz HPA
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 27 - 31 GHz GaAs High Power Amplifier MMIC(27 - 31 GHz高功率砷化鎵微波放大器)
中文描述： 27 - 31千兆赫的高功率放大器砷化鎵微波單片集成電路（27 - 31千兆赫的高功率砷化鎵微波放大器）
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代理商： 27 - 31 GHZ HPA
GaAs Components
27 - 31 GHz HPA
Data Sheet
3
2001-01-01
Figure 1
Bond Plan
Recommendation of Bonding Conditions
Parameter
Thermocompression
Nailhead, without Ultrasonic
Wedge
Bonding
Bond Pull Test
Mil 883, > 2 g
Table Temp.
250
°
C
180
°
C
250
°
C
150
°
C
1 : 2.5 g
Tool Temp.
2 : 3.1 g
Scrub
100 Hz
–
3 : 3.2 g
Bond Force
50 g
25 g
4 : 3.0 g
Wire Diameter
25
μ
m
17
μ
m
5 : 2.8 g
EHT09219
RF IN
RF OUT
G1
V
V
D1
V
G2
V
D2
V
G1
V
D1
G2
V
D2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
27 - 32 GHz Mixer 27 - 32 GHz GaAs Mixer MMIC(27 - 32 GHz砷化鎵微波混頻器)
27 - 33 GHz Tripler 27 - 33 GHz GaAs Tripler MMIC(28 - 33 GHz砷化鎵微波三倍頻器)
27.1B.241.A005G 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
270.1 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
270.5 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers
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參數(shù)描述
2731GN-110M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2731GN-110M - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSISTOR GAN 55-QP 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR GAN
2731GN-200M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2731GN-200M - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSISTOR GAN 55-QP 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR GAN
273-1K 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 1Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
273-1K/AP 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 USE 273-1K/AP-RC 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
273-1K/AP-RC 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 1Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
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