2SK4096LS

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

2SK4096LS 技術參數(shù)

2SK4094-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SK4094 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:100 2SK4093TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 500mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 25V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:2,500 2SK4089LS 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4088LS-1E 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F-3FS 標準包裝:50 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222