2SJ661-1E

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

2SJ661-1E
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
400
ON/安森美
NA
16+
-

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1

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功能描述
MOSFET P-CH 60V 38A
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
38A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
39 毫歐 @ 19A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
80nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
4360pF @ 20V
功率 - 最大值
1.65W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝
TO-262-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

2SJ661-1E 技術(shù)參數(shù)

2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75.5 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SJ655 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:136 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2090pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SJ652-RA11 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SJ652-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SJ652 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E