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2SK06620RL

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
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  • 功能描述
  • JFET N-CH 30V 20MA SMINI-3
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 8,000
  • 系列
  • -
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 1.2mA @ 10V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 漏極電流 (Id) - 最大
  • 10mA
  • FET 型
  • N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
  • -
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id
  • 180mV @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 4pF @ 10V
  • 電阻 - RDS（開(kāi)）
  • 200 歐姆
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 3-ECSP1006
  • 功率 - 最大
  • 100mW
2SK06620RL 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK0615 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:M-A1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK0601G0L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:迷你型P3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK060100L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:迷你型P3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK01980RL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:100mV @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ687-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252（MP-3ZK） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F)
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