參數(shù)資料
型號： 1T242A-2M
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： HF-UHF BAND, 47 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 59K
代理商： 1T242A-2M
相關PDF資料
PDF描述
1N5817 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4012 12 A, 700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N3209 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N1197A 20 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N2129 60 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1-T250 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
1T2810NKE01U24491 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
1T2G 功能描述:整流器 1A,100V,Std GLASS Pass Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1T2G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000
1T2G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000
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