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參數(shù)資料
| 型號： | 1PMT5931BT3G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 中文描述： | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 1PMT5931BT3G |
1PMT5920B Series
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
7
5
3
2
Figure 1. Steady State Power Derating
Figure 2. V
Z
to 10 Volts
25
50
75
T, TEMPERATURE (
°
C)
100
125
175
3.5
2.5
2
1.5
1
0
P
D
0.1
5
6
9
10
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
0.5
T
L
2
4
6
8
10
12
10
8
6
4
2
0
2
4
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
V
Z
@ I
ZT
200
100
70
50
30
20
10
10
20
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Zener Voltage 14 To 47 Volts
30
50
70
100
200
V
Z
@ I
ZT
150
3
7
8
11
1
10
100
I
Z
,
Figure 3. V
Z
= 12 thru 47 Volts
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Z
100
50
30
20
10
1
0.5
0.3
0.2
0.1
2
5
3
Figure 4. Zener Voltage To 12 Volts
Figure 6. Effect of Zener Voltage
V
Z
, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
5
7
10
20
30
50
70
100
200
100
70
50
30
20
10
Z
Z
I
Z(dc)
= 1mA
20
mA
i
Z(rms)
= 0.1 I
Z(dc)
10
mA
V
,
°
C
V
,
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5933BT1G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5933BT3G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5934BT1G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5934BT3G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5935BT1G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1PMT5931C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:12 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5931C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:12 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
| 1PMT5931CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:12 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5931CE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 18V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:12 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
| 1PMT5931E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 18V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 18V 20% POWERMITE |
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