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參數(shù)資料
| 型號： | 1PMT58AT3G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 中文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 457, PLASTIC PACKAGE, POWERMITE, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 1PMT58AT3G |
1PMT5.0AT1/T3 Series
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum P
pk
Dissipation, (PW10/1000 s) (Note 1) (1PMT5.0A 1PMT36A)
P
pk
200
W
Maximum P
pk
Dissipation, (PW10/1000 s) (Note 1) (1PMT40A 1PMT58A)
P
pk
175
W
Maximum P
pk
Dissipation, (PW8/20 s) (Note 1)
DC Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C (Note 2)
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
P
pk
1000
W
°
P
D
°
R
JA
500
4.0
248
°
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance, JunctiontoLead (Anode)
R
Janode
°
P
D
°
R
Jcathode
35
°
C/W
Maximum DC Power Dissipation (Note 3)
Thermal Resistance, JunctiontoTab (Cathode)
3.2
23
W
°
C/W
Operating and Storage Temperature Range
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Nonrepetitive current pulse at T
A
= 25
°
C.
2. Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR4.
3. At Tab (Cathode) temperature, T
tab
= 75
°
C
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless
otherwise noted, V
F
= 3.5 V Max. @ I
F
(Note 4) = 35 A)
Symbol
Parameter
I
PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V
C
Clamping Voltage @ I
PP
V
RWM
Working Peak Reverse Voltage
I
R
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RWM
V
BR
Breakdown Voltage @ I
T
I
T
Test Current
I
F
Forward Current
V
F
Forward Voltage @ I
F
UniDirectional TVS
I
PP
I
F
V
I
I
R
I
T
V
RWM
V
C
V
BR
V
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT7.0AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT7.0AT3G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT5920BT1G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5931BT3G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
| 1PMT5933BT1G | 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1PMT5913B | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:3.0 WATT Zener Diodes |
| 1PMT5913BT3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:PLASTIC SURFACE MOUNT ZENER DIODES 2.5 WATTS 3.3.91 VOLTS |
| 1PMT5913BT3THRU1PMT5948BT3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:PLASTIC SURFACE MOUNT ZENER DIODES 2.5 WATTS 3.3?1 VOLTS |
| 1PMT5914/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5914/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
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