型號: | 1PMT36AT3G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
中文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
封裝: | LEAD FREE, CASE 457, PLASTIC PACKAGE, POWERMITE, 2 PIN |
文件頁數: | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 72K |
代理商: | 1PMT36AT3G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1PMT40AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
1PMT40AT3G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
1PMT48AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
1PMT5.0AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
1PMT51AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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1PMT4099 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes |
1PMT4099/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 |
1PMT4099/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 |
1PMT4099C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes |
1PMT4099C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 |