參數(shù)資料
型號(hào): 1N975A
廠商: 濟(jì)南固锝電子器件有限公司
英文描述: KGS-MSTB 2,5/21
中文描述: 為0.5W硅穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商: 1N975A
24
0
25
50
75
100
125
150
175
TA, Ambient temperature (C°)
POWER DERATING CURVE
500
400
300
200
100
0
P
D
.1
.2 .3 .4 .5
1
2
5
10
20
30 40
50
100
OPERATING CURRENT lZT(mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
Z
1N957
thru
1N986B
INCLUDING -1 VERSIONS
FIGURE 2
33VOLT
51VOT
27VOLT
11VOLT
62VOLT
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PDF描述
1N975C Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????)
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參數(shù)描述
1N975B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N975B BK 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N975B TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
1N975B_T50A 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N975B_T50R 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel