| 型號(hào): | 1N962A |
| 廠商: | Semtech Corporation |
| 英文描述: | TAPE, SELF AMALG, 19MM; Colour:Black; Dielectric strength:31.9kV/mm; Length, Reel (Metric):9m; Material:rubber; Temp, op. max:90(degree C); Thickness, material:0.762mm; Width, external:19mm |
| 中文描述: | 硅平面穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商: | 1N962A |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N970 | .100" HEADER, 3 POSITION |
| 1N970A | CONN-HDR, POST, 12P 2ROW, .1SP, .230/.095, GD |
| 1N914 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
| 1N5280 | CONNECTOR ACCESSORY |
| 1N5221 | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N962B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N962B BK | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| 1N962B TR | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
| 1N962B_Q | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N962B_S00Z | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |