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參數(shù)資料
| 型號： | 1N956 |
| 元件分類： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | 70 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | 1N956 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1M1408 | 47 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M1409 | 33 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1N5301UB | 1.4 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE |
| 1N4762 | 82 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4993 | 300 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1N956B | 制造商:Motorola 功能描述:1N956 MOT BULK N12D4F |
| 1N957 | 制造商:SEMTECH 制造商全稱:Semtech Corporation 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| 1N957A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.8V 10% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-7 |
| 1N957B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N957B BK | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
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