參數(shù)資料
型號: 1N5999B
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 500 mW DO-35 Glass Zener Voltage Regulator Diode(500 mW DO-35玻璃封裝,9.1V齊納電壓,齊納穩(wěn)壓二極管)
中文描述: 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 70K
代理商: 1N5999B
GENERAL DATA — 500 mW DO-35 GLASS
Motorola TVS/Zener Device Data
6-4
500 mW DO-35 Glass Data Sheet
+12
+10
+8
+6
+4
+2
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4a. Range for Units to 12 Volts
VZ@ IZT
(NOTE 2)
RANGE
TEMPERATURE COEFFICIENTS
(–55
°
C to +150
°
C temperature range; 90% of the units are in the ranges indicated.)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
70
100
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4b. Range for Units 12 to 100 Volts
RANGE
VZ@ IZ(NOTE 2)
120
130
140
150
160
170
180
190
200
200
180
160
140
120
100
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4c. Range for Units 120 to 200 Volts
VZ@ IZT
(NOTE 2)
+6
+4
+2
0
–2
–4
3
4
5
6
7
8
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Effect of Zener Current
NOTE: BELOW 3 VOLTS AND ABOVE 8 VOLTS
NOTE:
CHANGES IN ZENER CURRENT DO NOT
NOTE:
AFFECT TEMPERATURE COEFFICIENTS
1 mA
0.01 mA
VZ@ IZ
TA= 25
°
C
1000
C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50
100
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6a. Typical Capacitance 2.4–100 Volts
TA= 25
°
C
0 V BIAS
1 V BIAS
50% OF
VZBIAS
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
120
140
160
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
180
190
200
220
Figure 6b. Typical Capacitance 120–200 Volts
TA= 25
°
C
1 VOLT BIAS
50% OF VZBIAS
0 BIAS
θ
V
°
C
20 mA
C
θ
V
°
C
θ
V
°
C
θ
V
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5985B 500mW DO-35 Glass Zener Voltage Regulator Diode(500mW,電壓工作范圍1.8-200V的DO-35封裝齊納穩(wěn)壓二極管)
1N6000 Anti-Static Storage Bags; External Height:125ft; External Width:24" RoHS Compliant: NA
1N6000A Anti-Static Storage Bags; External Height:125ft; External Width:48" RoHS Compliant: NA
1N6008A Insulating Tape; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
1N6009A Insulating Tape; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5999B BK 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500
1N5999B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 9V1
1N5999B TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000
1N5999B_T50A 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5999B_T50R 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel