參數(shù)資料
型號： 1N5821-E3/54
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 1N5821-E3/54
Document Number: 88526
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1
Schottky Barrier Rectifier
1N5820 thru 1N5822
Vishay General Semiconductor
FEATURES
Guardring for overvoltage protection
Very small conduction losses
Extremely fast switching
Low forward voltage drop
High forward surge capability
High frequency operation
Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
Compliant
to
RoHS
directive
2002/95/EC
and
in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For
use
in
low
voltage
high
frequency
inverters,
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte
tin
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
Note
(1) Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
3.0 A
VRRM
20 V, 30 V, 40 V
IFSM
80 A
VF
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V
TJ max.
125 °C
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
1N5820
1N5821
1N5822
UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
20
30
40
V
Maximum RMS voltage
VRMS
14
21
28
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
20
30
40
V
Non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
24
36
48
V
Maximum average forward rectified current
at 0.375" (9.5 mm) lead length at TL = 95 °C
IF(AV)
3.0
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
80
A
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 65 to + 125
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
1N5820
1N5821
1N5822
UNIT
Maximum instantaneous forward voltage
3.0
VF (1)
0.475
0.500
0.525
V
Maximum instantaneous forward voltage
9.4
VF (1)
0.850
0.900
0.950
V
Maximum average reverse current
at rated DC blocking voltage
TA = 25 °C
IR (1)
2.0
mA
TA = 100 °C
20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5822 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N6013B 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N6376/1-E3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6378 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6381LEADFREE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5821G 功能描述:肖特基二極管與整流器 3A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
1N5821-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifier
1N5821H 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
1N5821HA0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準包裝:500
1N5821HB0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準包裝:500
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