參數資料
型號: 1N5817M
廠商: DIODES INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
中文描述: 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: GLASS, MELF-2
文件頁數: 2/2頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: 1N5817M
D
S
13001 Rev. D-2
2 of 2
1N5817M/1N5818M/1N5819M
I
O
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
40
60
80
100
120
140 150
T , TERMINAL TEMPERATURE ( C)
Fig. 1, Forward Current Derating Curve
Single Pulse Half-Wave
60 Hz Resistive or Inductive Load
Note 1
0.1
1.0
10
30
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2, Typical Forward Characteristics
T = 25 C
Pulse Width = 300 ms
2% Duty Cycle
1N5817M
1N5818M
1N5819M
10
100
1000
0.1
1.0
10
100
C
J
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 3, Typical Junction Capacitance
T = 25 C
0
5
10
15
20
25
1
10
100
I
,
F
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 4, Maximum Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
相關PDF資料
PDF描述
1N5818M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5819M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5817 Schottky Barrier Rectifier Diode(20V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管)
1N5818 Schottky Barrier Rectifier Diode(30V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管)
1N5819 Schottky Barrier Rectifier Diode(40V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管)
相關代理商/技術參數
參數描述
1N5817M13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
1N5817M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMD MELF RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
1N5817PT 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:VOLTAGE RANGE 20 - 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere
1N5817R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Rectifier diode, 1N5817 R0
1N5817RL 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/20V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel