參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5816R
廠商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： FAST RECOVERY POWER RECTIFIER
中文描述： 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
封裝： DO-4, 1 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 59K
代理商： 1N5816R
TECHNICAL DATA
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/ 478
Devices
Qualified Level
1N5812
1N5812R
1N5814
1N5814R
1N5815
1N5815R
1N5816
1N5816R
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
1N5812
1N5812R
50
50
1N5814
1N5814R
100
100
20
1N5816
1N5816R Unit
150
150
Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Average Forward Current T
C
= +100
0
C
(1)
Forward Current Surge Peak T
C
= +100
0
C
t
p
= 8.3 ms
Reverse Recovery Time
Operating & Storage Junction Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 250 mA/
0
C from +100
0
C to +150
0
C, & 300 mA/
0
C above +150
0
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Impedance
I
H
≥
rated I
O
; t
H
≤
250ms; 10 mA
≤
I
M
≤
100 mA; t
MD
= 250
μ
s (max)
Forward Voltage
t
p
≤
8.3 ms, duty cycle
≤
2.0% pulsed
I
F
=
10 A (pk)
I
F
=
20 A (pk)
Reverse Current
V
R
= Rated V
R
(See 1.3 of MIL-PRF-19500/478)
Breakdown Voltage
I
R
= 100
μ
Adc
I
R
= 100
μ
Adc
I
R
= 100
μ
Adc
Junction Capacitance
V
R
= 10 Vdc, V
SIG
= 50 mVdc (p-p) max, f = 1.0 MHz
Forward Recovery Voltage
t
p
≥
20
η
s, t
r
= 8.0
η
s; I
F
= 1,000 mA
Forward Recovery Time
I
F
= 1,000 mA
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
V
R
V
RWM
I
O
Vdc
Vpk
Adc
I
FSM
400
Adc
t
rr
35
η
s
0
C
T
J
,
T
stg
-65 to +175
Symbol
R
θ
JC
Max.
1.5
Unit
0
C/W
*See appendix A for
package outline
Max.
Symbol
Min.
Unit
Z
θ
JX
1.35
0
C/W
V
F1
V
F2
0.860
0.950
Vdc
Vpk
I
R
10
μ
Adc
1N5812, R
1N5814, R
1N5816, R
V
(BR)
60
110
160
Vdc
C
J
300
pF
V
FR
2.2
V(pk)
t
rr
15
η
s
120101
Page 1 of 1
DO-203AA
(DO-4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5813 ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS
1N5812 20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
1N5813 MDSTB 2,5/19-G1
1N5814 20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
1N5815 20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5816RJAN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 20A 2-Pin DO-4
1N5817 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/20V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
1N5817 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N5817 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N5817 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
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