參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5804US
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP
中文描述： 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商： 1N5804US
MSC1344.PDF 02-23-99
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE and JANKCE
JANHCF and JANKCF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Current
Rated V
R
, T
C
= 25
°
C
Reverse Current
Rated V
R
, T
C
= 100
°
C
Forward Voltage Drop I
F
=
1A, T
C
= 25
°
C
Junction Capacitance @ V
R
= 10V
SYMBOL
TYPICAL
MAX.
UNITS
I
R
.01
1
μ
A
I
R
V
F
Cj
1.0
.80
15
50
.875
25
μ
A
Volts
Pf
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Recovery Time
I
F
= 0.5A, I
R
= 0.5A, I
RR
= 0.05A
SYMBOL
TYPICAL
MAX.
UNITS
Trr
20
25
ns
Forward Recovery Voltage @ 1A Trr = 8ns
Forward Recovery Time
I
FM
= 250 mA
Vrr
1.5
2.2
V
15
ns
2.5 AMPS
FAST RECOVERY
RECTIFIER CHIP
50 - 150 VOLTS
FEATURES:
Chip Outline Dimensions: 41 x 41 mils
Chip Thickness: 8 to 12 mils
Anode Metallization: Aluminum
Metallization Thickness: 50,000
Nominal
Bonding Area: 23 x 23 mils Min.
Back Metallization: Gold
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or
JANKCF
TYPE
V
R
50V
100V
150V
50V
100V
150V
V
BR
60V
110V
160V
60V
110V
160V
I
O
Tj = 75
°
C
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
JANHCE1N5802
JANHCE1N5804
JANHCE1N5806
JANKCE1N5802
JANKCE1N5804
JANKCE1N5806
7516 Central Industrial Drive
Riviera Beach, Florida
33404
PHONE: (561) 842-0305
FAX: (561) 845-7813
Chip Type:
RH
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5802 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
1N5802-1 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
1N5802US MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP
1N5810 ULTRA FAST RECTIFIERS
1N5807 ULTRA FAST RECTIFIERS
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參數(shù)描述
1N5804USJANTX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
1N5805 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 125V 2.5A 2PIN D-5A - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:DO-204AP 2.5 Amp Rectifier
1N5805US 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP
1N5806 功能描述:DIODE 150V 2.5A 25NS AXIAL RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
1N5806/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
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