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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5470B |
| 元件分類： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | VHF-UHF BAND, 33 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | 1N5470B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4920-1 | 19.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
| 1N5253B-TAP | 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5259B-TAP | 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N2059 | 250 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
| 1N3291 | 100 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5470BJTX | 制造商:TDY 功能描述:1N5470BJTX |
| 1N5517 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
| 1N5518 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
| 1N5518_03 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 1N5518-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-35 |
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