參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5407-TB
廠商： Won-Top Electronics Co., Ltd.
英文描述： 3.0A SILICON RECTIFIER
中文描述： 3.0A的整流硅
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： 1N5407-TB
1N5400GP
THRU
1N5408GP
3 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Forward Voltage
High Current Capability
Glass Passivated Junction
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Storage Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Maximum Thermal Resistance; 30
°
C/W Junction To Lead
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
MM
DIM
A
B
C
D
MAX
.370
.250
.052
---
MIN
---
---
1.20
25.40
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
1N5400GP
1N5401GP
1N5402GP
1N5404GP
1N5406GP
1N5407GP
1N5408GP
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
*Pulse test: Pulse width 300
μ
sec, Duty cycle 1%
I
F(AV)
3.0A
T
A
= 105
°
C
I
FSM
200A
8.3ms, half sine
V
F
1.1V
I
FM
= 3.0A;
T
J
= 25
°
C*
I
R
5.0
μ
A
50
μ
A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
C
J
40pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
A
B
C
D
D
Cathode
Mark
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5408-T3 3.0A SILICON RECTIFIER
1N5408-TB 3.0A SILICON RECTIFIER
1N5404-T3 3.0A SILICON RECTIFIER
1N5404-TB 3.0A SILICON RECTIFIER
1N5406-T3 3.0A SILICON RECTIFIER
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參數(shù)描述
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1N5408 功能描述:整流器 3.0a Rectifier General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N5408 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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