參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5402
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： 1N5402
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
1N5400
thru
1N5408
3 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Forward Voltage
High Current Capability
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
.370
---
9.50
B
---
.250
---
6.40
C
.048
.052
1.20
1.30
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65
°C to +175°C
Storage Temperature: -65
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 30
°C/W Junction To Lead
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
1N5400
50V
35V
50V
1N5401
100V
70V
100V
1N5402
200V
140V
200V
1N5404
400V
280V
400V
1N5406
600V
420V
600V
1N5407
800V
560V
800V
1N5408
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
3.0A
TA = 105
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
200A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
0.95V
IFM = 3.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0
A
50
A
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
40pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 2%
A
B
C
D
Cathode
Mark
相關(guān)PDF資料
PDF描述
10EZ6.8AR 6.8 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-220AB
1N4729ACTA2 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4730ADRL 3.9 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4730ADTA2 3.9 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4732ACTA2 4.7 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
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參數(shù)描述
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1N5402_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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