型號: | 1N5384C |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | P-CHANNEL POWER DMOS 100V |
中文描述: | 160 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 213K |
代理商: | 1N5384C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5384CTR | surface mount silicon Zener diodes |
1N5384D | MOSFET P-CH 200V 120MA TO-92 |
1N5384DTR | MOSFET P-CH 60V 160MA TO-92 |
1N5384TR | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET ZETEX #ZVP3306F |
1N5385 | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
1N5384C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 160V 2% T-18 |
1N5384C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 160V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 160V 2% T-18 |
1N5384CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):160V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 |
1N5384CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):160V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 115V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 |
1N5384CE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 160V, ? 2% - Tape and Reel |