參數(shù)資料
型號: 1N5383BTR
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
中文描述: 150 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝: PLASTIC, T-18, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 213K
代理商: 1N5383BTR
Silicon 5 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2003
7-23-2003 REV B
W
M
.
C
SCOTTSDALE DIVISION
1N5333B thru 1N5388B
1
OUTLINE AND CIRCUIT
T
L
P
D
T
A
on FR4
PC board
T
L
, Lead temperature (
o
C) 3/8” from body. or
T
A
ambient temperature on FR4 PC Board
FIGURE 1
Power Derating Curve
FIGURE 2
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
FIGURE 3
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
PACKAGE DIMENSIONS
相關PDF資料
PDF描述
1N5383C MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
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1N5383DTR surface mount silicon Zener diodes
1N5383TR MOSFET N-CH 200V 180MA TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N5383C/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18
1N5383C/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 150V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18
1N5383CE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000
1N5383CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250
1N5383CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000