型號: | 1N5383BTR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 |
中文描述: | 150 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 213K |
代理商: | 1N5383BTR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5383C | MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 |
1N5383CTR | MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 |
1N5383D | MOSFET N-CH 100V 320MA TO-92 |
1N5383DTR | surface mount silicon Zener diodes |
1N5383TR | MOSFET N-CH 200V 180MA TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
1N5383C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18 |
1N5383C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 150V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18 |
1N5383CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 |
1N5383CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 |
1N5383CE3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 |