參數(shù)資料
型號: 1N5381BBK
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: 1N5381BBK
相關PDF資料
PDF描述
1N2837RB 91 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3
1N2843RB 150 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3
1N2991B 36 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4
1N3000RB 62 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4
1N3065TR-RMCU 0.075 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N5381BE3/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
1N5381BE3/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
1N5381BE3/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
1N5381BG 功能描述:穩(wěn)壓二極管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5381BRL 功能描述:穩(wěn)壓二極管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel