型號: | 1N5361BE3/TR8 |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 356K |
代理商: | 1N5361BE3/TR8 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5369BE3 | 51 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5375C/TR8 | 82 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1.5KE8.2CARL4 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5SE11 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5SE170 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N5361BG | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 27V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5361BRL | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 27V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5361BRLG | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 27V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5361B-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.0W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5361B-TP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.0W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |