型號: | 1N5266BAMO |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 68 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 106K |
代理商: | 1N5266BAMO |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5361BRL | 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5230BT/R | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N4946GP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N1593A | 10 V, 3.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
1N4241 | 6 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N5266BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 |
1N5266BT | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5266B-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500MW 68V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5266B-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 68 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5266B-TP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500mW 68V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |