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參數資料
| 型號： | 1N5257BD7 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | 1N5257BD7 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5276CD7 | 150 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5523BD7 | 5.1 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5531AD7 | 11 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5546CD7 | 33 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N746T-85 | 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5257B-G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 VR=33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5257BRL | 制造商:Motorola 功能描述:1N5257 SMT |
| 1N5257BT | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5257B-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 0.5W 33V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5257BTA | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
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