型號: | 1N5242B-A |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
中文描述: | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大小: | 55K |
代理商: | 1N5242B-A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5242B-T | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N5242B-B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 0.5W 12V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5242BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 |
1N5242BDO35E3 | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
1N5242BRL | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
1N5242B-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |