參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4756A
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Power Z-Diode for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓47V，穩(wěn)定電流5.5mA的硅功率齊納二極管)
中文描述： 硅功率Z -二極管的電壓穩(wěn)定（穩(wěn)定電壓47V，穩(wěn)定電流五點(diǎn)五毫安的硅功率齊納二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： 1N4756A
1N4728A...1N4761A
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85587
Silicon Power Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9369
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
50 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
1
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
W
mA
C
C
T
amb
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
100
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
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PDF描述
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1N4756A A0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N4756A B0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
1N4756A BK 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
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