參數(shù)資料
型號： 1N4454
廠商： Semtech Corporation
英文描述： SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
中文描述： 硅平面二極管外延
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： 1N4454
MILLIMETERS
INCHES
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
D
1.60
1.70
0.063 0.067
F
0.41
0.55
0.016 0.022
G
3.30
3.70
.130
.146
G1
2.54 REF.
.100 REF.
S
0.03 MIN.
.001 MIN.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified
MAXIMUM RATINGS
Junction Temperature: -55°C to +175°C
Storage Temperature: -55°C to +175°C
Operating Current: 200 mA @ TA = +25°C
Derating Factor: 1.33 mA/°C Above TA = + 25°C
Surge Current A: 1A (pk), Pw = 1 sec
Surge Current B: 4A (pk), Pw = 1 s
1N4454UR and 4454UR-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/144
SWITCHING DIODE
HERMETICALLY SEALED
METALLURGICALLY BONDED
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH: Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE (ROJEC):
100 °C/W maximum at L = 0
THERMAL IMPEDANCE: (ZOJX): 70
C/W maximum
POLARITY: Cathode end is banded.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
1N4454UR
1N4454UR-1
and
CDLL4454
I R1
I R2
CAPACITANCE
@ 50 V dc
@ 50 V
@ 0 V
TA = 150°C
A
pF
0.1
100
2.0
Vf 1
Vf 2
t rr
VBR
V RWM
I0@I F = 10 mA @I F = 10 mA
@5
A
TA = 150°C
Volts
Volts (pk)
mA
V dc
n sec
75
50
200
1.0
0.7
4
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PDF描述
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1N4454_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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