參數(shù)資料
型號(hào)： 1N41501N457A
廠商： Microsemi Corporation
英文描述： Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
中文描述： 硅開(kāi)關(guān)二極管的DO - 35玻璃封裝
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： 1N41501N457A
Applications
Used in general purpose applications,where a controlled forward
characteristic is important.
Features
Six sigma quality
BKC's Sigma Bond plating
for problem free solderability
LL-35 MELF SMD available
Hermetic Glass Package
Extremely low FIT Level
Silicon Switching Diode
DO-35 Glass Package
1N4150
DO-35 Glass Package
Dia.
0.06-0.09"
1.53-2.28 mm
1.0"
25.4 mm
(Min.)
Length
0.120-.200"
3.05-5.08-
mm
0.018-0.022"
0.458-0.558 mm
Lead Dia.
Maximum Ratings
Peak Inverse Voltage
Average Rectified Current
Continuous Forward Current
Peak Surge Current (t
peak
= 1 sec.)
Max. Power Dissipation T
L
=50
o
C, L = 3/8" from body
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics @ 25
Forward Voltage Drop @ I
F
= 100 mA
Reverse Leakage @ V
R
= 60 V
Reverse Leakage @ V
R
= 60 V,100
Symbol
PIV
Iavg
I
Fdc
I
peak
P
tot
T
Op
T
St
Value
70 (Min).
200
300
1.0
500
Unit
Volts
mAmps
mAmps
Amp
mWatts
o
C
-80 to +200
-80 to +200
Maximum
1.00
25
0.005
o
C
Unit
Volts
nA
mA
o
C*
Symbol
V
F
I
R
o
C
I
R
Minimum
***
***
***
6 Lake Street - Lawrence, MA 01841
Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135
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PDF描述
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1N4150T-77 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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