參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4149CSM
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diode(硅外延平面二極管(通用、開(kāi)關(guān)型))
中文描述： 硅外延平面二極管（硅外延平面二極管（通用，開(kāi)關(guān)型））
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： 1N4149CSM
Parameter
Reverse Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
100
100
150
200
450
2000
500
500
Unit
V
V
mA
mA
mA
Parameter
Forward Voltage
Test Conditions
I
F
= 10mA
V
R
= 20V
V
R
= 20V , T
j
= 150°C
I
R
= 100
μ
A
I
R
= 5
μ
A
V
R
= 0V , f = 1 MHz
I
F
= 50mA , t
r
= 20ns
I
F
= 10mA to I
R
= 60mA
R
L
= 100
Min.
Typ.
Max.
1
25
50
Unit
V
nA
μ
A
V
V
pF
V
Non-Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation at T
amb
= 25 °C
1N4149CSM
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
2
1
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31
(0.012)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2
(
0
(
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
1.40
(0.055)
max.
A
(0.31
rad.
A =
3
SILICON EPITAXIAL
PLANAR DIODE
10/99
LA B
S E M E
Reverse Current
Reverse Avalanche Breakdown
Voltage
Capacitance
Forward Recovery Voltage
Reverse Recovery Time
100
100
4
2.5
4
ns
CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
General Purpose and
Switching Diode in
Hermetic Ceramic Surface Mount
Package for
High Reliability Applications
V
R
V
RRM
I
F(AV)
I
F
I
FRM
I
FSM
P
tot
mA
mW
t = 1
μ
s
t = 1s
V
F
I
R
V
(BR)R
C
d
V
fr
t
rr
Underside View
PAD 2 — Not Connected
PAD 1 — Anode
PAD 3 — Cathode
SOT23 CERAMIC
(LCC1 PACKAGE)
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4150TR DIODE KLEINSIGNAL
1N415EMR SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES
1N415FMR SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES
1N415CM SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES
1N415CMR SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4149TR 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4150 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) Vr/50V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4150 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4150 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:6ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
1N4150 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SILICON DIODES 300MA
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