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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4006 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | 1N4006 |
Number: DB-111
April 29, 2008 / A
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4007 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4103-BP | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4108-TP | 14 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4111-BP | 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4619-BP | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4006- | 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A |
| 1N4006 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4006 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 |
| 1N4006 R0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K |
| 1N4006 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 |
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