型號(hào): | 1N4005GPP |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIER 1.0 AMP, 50 THRU 1000 VOLTS |
中文描述: | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 86K |
代理商: | 1N4005GPP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N4006GPP | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIER 1.0 AMP, 50 THRU 1000 VOLTS |
1N4007GPP | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIER 1.0 AMP, 50 THRU 1000 VOLTS |
1N4002-B | 1.0A RECTIFIER |
1N4002-T | 1.0A RECTIFIER |
1N4003-A | 1.0A RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N4005GPP BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
1N4005GPP TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
1N4005G-T | 功能描述:整流器 1.0A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
1N4005G-T3 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE |
1N4005G-T-99 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |