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參數(shù)資料
| 型號： | 1N1202C |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SILICON POWER RECTIFIER |
| 中文描述： | 25 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封裝： | METAL, DO-4, 1 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | 1N1202C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1203C | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N1199C | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N1205C | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N1206C | SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N1200C | SILICON POWER RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N1202CR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon Power Rectifiers |
| 1N1202R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 200V 12A 2PIN DO-4 - Bulk |
| 1N1202RA | 功能描述:DIODE STD REC 200V 12A DO-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1202RAJ | 制造商: 功能描述: 制造商:NAE 功能描述: |
| 1N1202RAJAN | 制造商: 功能描述: 制造商:NAE 功能描述: |
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