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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N1190R |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Military Silicon Power Rectifier |
| 中文描述： | 35 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封裝： | METAL, DO-5, 1 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | 1N1190R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1188R | Military Silicon Power Rectifier |
| 1N1184 | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
| 1N3768 | MKDSD 1,5/ 6-3,81 |
| 1N1184A | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
| 1N3766 | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N1190RA | 功能描述:DIODE STD REC 600V 40A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1190RA | 制造商:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY RECTIFIER |
| 1N1191 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:20 Amp Silicon Rectifier DO-5 |
| 1N1191A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N1192 | 制造商:SP 功能描述:1N1192 SP'76 S3B5C 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:20 Amp Silicon Rectifier DO-5 |
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