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參數(shù)資料
| 型號： | 1N1185 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 35 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封裝： | DO-5, 1 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 377K |
| 代理商： | 1N1185 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1188A | 40 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 1N1201RA | 12 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 1.5KE12ARL4 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6386 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 15R6/3D | 40 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N1185A | 功能描述:DIODE STD REC 150V 40A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1185AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
| 1N1185R | 功能描述:DIODE STD REC 150V 35A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N1185RA | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 40A 150V DO-5 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE, 40A, 150V, DO-5; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:150V; Forward Current If(AV):40A; Forward Voltage VF Max:1.19V; Forward Surge Current Ifsm Max:800A ;RoHS Compliant: Yes |
| 1N1186 | 功能描述:整流器 200V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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