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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1MB10-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Fuji Discrete Package IGBT |
| 中文描述： | 16 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | 1MB10-120 |
10
100
100
1000
t
f
t
r
t
off
t
on
Switching Time vs. R
G
V
CC
=600V, I
C
=10A, V
GE
=±15V, T
j
=25°C
S
o
,
r
,
o
,
f
Gate Resistance : R
G
[
]
10
100
100
1000
t
f
t
r
t
off
t
on
Switching Time vs. R
G
V
CC
=600V, I
C
=10A, V
GE
=±15V, T
j
=125°C
S
o
,
r
,
o
,
f
Gate Resistance : R
G
[
]
0
5
10
15
20
25
30
35
1
10
100
1000
C
res
C
oes
C
ies
Capacitance vs. Collector-Emitter Voltage
T
j
=25°C
C
o
,
r
,
i
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
200
400
600
800
1000
C
C
Gate Charge : Q
G
[nQ]
0
5
10
15
20
25
800V
V
CC
=
600V
G
G
Dynamic Input Characteristics
T
j
=25°C
0
5
10
15
0
50
100
150
200
25°C
125°C
Reverse Recovery Time vs. Forward Current
V
R
=200V,
-di
/
dt
=100A/μsec
R
r
Forward Current : I
F
[A]
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
25°C
125°C
Reverse Recovery Current vs. Forward Current
V
R
=200V,
-di
/
dt
=100A/μsec
R
r
Forward Current : I
F
[A]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1MB10D-120 | Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB12-140 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 1MB15D-060 | Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB20D-060 | Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB20-060 | Potentiometer; Resistance Max:10kohm; Resistance Tolerance:+/- 20 %; Power Rating:0.05W; Voltage Rating:50 VAC, 20VDC; Series:PTV111 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1MB10-120_01 | 制造商:FUJI 制造商全稱(chēng):Fuji Electric 功能描述:1200V / 10A Molded Package |
| 1MB10D-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱(chēng):Fuji Electric 功能描述:Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB12-140 | 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor |
| 1MB15D-060 | 制造商:FUJI 制造商全稱(chēng):Fuji Electric 功能描述:600V / 15A Molded Package |
| 1MB20-060 | 制造商:FUJI 制造商全稱(chēng):Fuji Electric 功能描述:Fuji Discrete Package IGBT |
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