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參數(shù)資料
| 型號： | 1M110ZS5RL |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 180 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | 1M110ZS5RL |
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Motorola TVS/Zener Device Data
6-43
1–3 Watt DO-41 Surmetic 30 Data Sheet
1 to 3 Watt DO-41 Surmetic 30
Zener Voltage Regulator Diodes
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN
THIS GROUP
1 to 3 Watt Surmetic 30
Silicon Zener Diodes
. . . a complete series of 1 to 3 Watt Zener Diodes with limits and operating characteristics
that reflect the superior capabilities of silicon-oxide-passivated junctions. All this in an
axial-lead, transfer-molded plastic package offering protection in all common environmen-
tal conditions.
Specification Features:
Surge Rating of 98 Watts @ 1 ms
Maximum Limits Guaranteed On Up To Six Electrical Parameters
Package No Larger Than the Conventional 1 Watt Package
Mechanical Characteristics:
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic
FINISH: All external surfaces are corrosion resistant and leads are readily solderable
POLARITY: Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode
will be positive with respect to anode
MOUNTING POSITION: Any
WEIGHT: 0.4 gram (approx)
WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST LOCATION: Seoul, Korea
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation @ TL = 75°C
Lead Length = 3/8
″
Derate above 75
°C
PD
3
24
Watts
mW/
°C
DC Power Dissipation @ TA = 50°C
Derate above 50
°C
PD
1
6.67
Watt
mW/
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to +200
°C
GENERAL
DATA
CASE 59-03
DO-41
PLASTIC
1–3 WATT
DO-41
SURMETIC 30
1 TO 3 WATT
ZENER REGULATOR
DIODES
3.3–400 VOLTS
Figure 1. Power Temperature Derating Curve
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
P
,MAXIMUM
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
D
0
20
40
60
200
80
100
120
140
160
180
0
1
2
3
4
5
L = 1/8
″
L = 3/8
″
L = 1
″
L = LEAD LENGTH
TO HEAT SINK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1M160ZS5RL | 180 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N5284 | 0.24 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 1N5299 | 1.2 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 1N5822US | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N821 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1M120Z | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 120 Volt 1 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1M120Z A0G | 功能描述:DIODE ZENER 120V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:550 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 91.2V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:3,000 |
| 1M120Z B0G | 功能描述:DIODE ZENER 120V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:550 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 91.2V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1,000 |
| 1M120Z R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 120V 5% 1W 2-Pin DO-41 Tape and Box |
| 1M120Z R0G | 功能描述:DIODE ZENER 120V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:550 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 91.2V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:5,000 |
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