參數(shù)資料
型號： 189NQ135
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 180 A, 135 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： HALF PACK-1
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 189NQ135
189NQ... Series
PD-20720 12/99
2
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-55to175
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-55to175
°C
R
thJC
Max.ThermalResistanceJunction
0.30
°C/W
DCoperation
* See Fig. 4
toCase
R
thCS
TypicalThermalResistance,Caseto
0.15
°C/W
Mountingsurface,smoothandgreased
Heatsink
wt
ApproximateWeight
25.6(0.9) g(oz.)
T
MountingTorque
Min.
40(35)
Non-lubricatedthreads
Max.
58(50)
TerminalTorque
Min.
58(50)
Max.
86(75)
Case Style
HALF PAK Module
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
189NQ Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
1.07
V
@ 180A
* See Fig. 1
1.27
V
@ 360A
0.74
V
@ 180A
0.86
V
@ 360A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
4.5
mA
T
J
= 25 °C
* See Fig. 2
65
mA
T
J
= 125 °C
C
T
Max. Junction Capacitance
4500
pF
V
R
= 5V
DC
, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
L
S
Typical Series Inductance
6.0
nH
From top of terminal hole to mounting plane
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10,000
V/ s
(Rated V
R
)
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= rated V
R
Parameters
189NQ Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
Electrical Specifications
I
F(AV)
Max.AverageForwardCurrent
180
A
50% duty cycle @ T
C
= 110° C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
15000
5s Sine or 3s Rect. pulse
SurgeCurrent *SeeFig.7
1770
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-RepetitiveAvalancheEnergy
15
mJ
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 Amps, L = 30 mH
I
AR
RepetitiveAvalancheCurrent
1
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
Frequency limited by T
J
max. V
A
= 1.5 x V
R
typical
Parameters
189NQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
A
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM
applied
Part number
189NQ135
189NQ150
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM
Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
135
150
相關PDF資料
PDF描述
1.5SMC170A 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
1.5SMC22A 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
1N969B/D7 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N749AT50A 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N962BT26A 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
189NQ135-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 135V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:135V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.07V @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 135V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4500pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:27
189NQ135R-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 135V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:135V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.07V @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 135V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4500pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:27
189NQ150 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER
189NQ150-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.07V @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4500pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:27
189NQ150R-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.07V @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4500pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:27
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