參數(shù)資料
型號(hào)： 10BQ060TR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
封裝： SMB, SIMILAR TO DO-214AA, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： 10BQ060TR
10BQ060
Bulletin PD-2.438 rev. G 0
7/04
2
www.irf.com
Part number
10BQ060
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
60
Voltage Ratings
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.6
V
@ 1A
* See Fig. 1
0.76
V
@ 2A
0.57
V
@ 1A
0.69
V
@ 2A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
0.1
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
5.0
mA
T
J = 125 °C
C
T
Typical Junction Capacitance
62
pF
V
R = 5VDC (test signal range 100kHz to 1MHz) 25°C
L
S
Typical Series Inductance
2.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Volatge Rate of Charge
10000
V/ s
(Rated VR)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Electrical Specifications
Parameters
10BQ Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
I
F(AV) Max. Average Forward Current
1.0
A
50% duty cycle @ T
L = 103 °C, rectangular wave form
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
700
A
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current
42
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non- Repetitive Avalanche Energy
2.0
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 1A, L = 4mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
1.0
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
Frequency limited by T
J max. Va = 1.5 x Vr typical
Parameters
10BQ Units Conditions
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM applied
TJ
Max.Junction Temperature Range (*) - 55 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
- 55 to 150
°C
R
thJL Max. Thermal Resistance Junction
36
°C/W DC operation
to Lead
(**)
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
80
°C/W
to Ambient
wt
Approximate Weight
0.10(0.003) g (oz.)
Case Style
SMB
Similar DO-214AA
Device Marking
IR1H
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
10BQ
Units
Conditions
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(**) Mounted 1 inch square PCB
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
10BQ200-GT3 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
10FL2C48A 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
10MQ040N-T3 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
10MQ060N-T3 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
10MQ060NTR 1.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
10BQ060TRPBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
10BQ060TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Schottky Rectifier
10BQ100 功能描述:肖特基二極管與整流器 1.0 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
10BQ100M 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1 A
10BQ100PBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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