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參數(shù)資料
| 型號： | 100BGQ100 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | DIODE 100 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, POWIRTAB-1, Rectifier Diode |
| 中文描述： | Schottky (Diodes & Rectifiers) 100 Amp 100 Volt 6300 Amp IFSM |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | 100BGQ100 |
100BGQ100, 100BGQ100J
Bulletin PD-20999 rev. B 12/02
3
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
F
Forward Voltage Drop - V (V)
I
T = 175°C
T = 125°C
T = 25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
R
150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
R
Reverse Voltage - V (V)
T = 175°C
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
T
J
Reverse Voltage - V (V)
T = 25°C
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
t , Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Single Pulse
(Thermal Resistance)
T
Notes:
1. Duty factor D = t 1
2. Peak T = P x Z + T
2
C
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
2
t
1
t
P
DM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 100BGQ100_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 100 A |
| 100BGQ100J | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| 100-BLK | 制造商:LMB / Heeger 功能描述: |
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| 100BN.HMWWB | 制造商:Intel 功能描述: |
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